Вещи, которыми стоит поделиться!
Start Page Бесплатно презентацию кристаллические реш тки


Бесплатно презентацию кристаллические реш тки


Скопление многих вакансий может привести к образованию пор и пустот. В аморфных телах с хаотическим располохением атомов в пространстве расстояния между атомами в различных направлениях равны, следовательно, свойства будут одинаковые, то есть аморфные тела изотропны В кристаллических телах атомы правильно располагаются в пространстве, причем по разным направлениям расстояния между атомами неодинаковы, что предопределяет существенные различия в силах взаимодействия между ними и, в конечном результате, разные свойства. Температура Т S — равновесная или теоретическая температура кристаллизации. Априорное представление о дислокациях впервые использовано в 1934 году Орованом и Тейлером при исследовании пластической деформации кристаллических материалов, для объяснения большой разницы между практической и теоретической прочностью металла. Точеные дефекты Одним из распространенных несовершенств кристаллического строения является наличие точечных дефектов: вакансий, дислоцированных атомов и примесей. Соответствующие методы исследования называются электронографией и нейтронографией. Образуется при переходе атомов с поверхности в окружающую среду или из узлов решетки на поверхность границы зерен, пустоты, трещины и т. Для начала процесса кристаллизации необходимо, чтобы процесс был термодинамически выгоден системе и сопровождался уменьшением свободной энергии системы. Если не требуется большой точности, то используют спектральный анализ. Искажения в кристаллической решетке при наличии краевой дислокации Другой тип дислокаций был описан Бюргерсом, и получил название винтовая дислокация Винтовая дислокация получена при помощи частичного сдвига по плоскости Q вокруг линии EF рис. · плотность упаковки атомов в кристаллической решетке — объем, занятый атомами, которые условно рассматриваются как жесткие шары. На границах зерен повышена концентрация примесей, которые понижают поверхностную энергию. При нагреве ферромагнитные свойства металла уменьшаются постепенно: вначале слабо, затем резко, и при определ?нной температуре точка Кюри исчезают точка Кюри для железа —. Плоскость, проходящая через узлы кристаллической решетки, называется кристаллографической плоскостью. Стенки изложниц имеют неровности, шероховатости, которые увеличивают скорость кристаллизации. Оно компенсирует рассеивание теплоты в пространство, и поэтому температура остается постоянной. Таким образом, пластичность, теплопроводность и электропроводность обеспечиваются наличием «электронного газа». Схема кристаллической решетки Классификация возможных видов кристаллических решеток была проведена французским ученым О. Кристаллизация корковой зоны идет в условиях максимального переохлаждения. Позволяет обнаружить элементы структуры размером до 0,2 мкм. Плотность дислокации в значительной мере определяет пластичность и прочность материала рис. Используя один метод исследования металлов, невозможно получить информацию о всех свойствах.


Процесс кристаллизации чистого металла: До точки 1 охлаждается металл в жидком состоянии, процесс сопровождается плавным понижением температуры.


Все желающие могут скачать презентацию по физике с целью использования их на уроках, а также для повторения и закрепления изученного материала по определенной теме. Микроструктурный анализ — изучение поверхности при помощи световых микроскопов. За единицу измерения принимается период решетки. С изменением внешних условий свободная энергия изменяется по сложному закону различно для жидкого и кристаллического состояний. При упрочнении металлов увеличением плотности дислокаций, она не должна превышать значений 10 15…10 16 м —2. Из жидкого расплава можно вырастить монокристалл. С увеличением плотности дислокаций возрастает внутреннее, изменяются оптические свойства, повышается электросопротивление металла. Металлы — один из классов , характеризующийся определ?нным набором свойств: · «металлический блеск» хорошая отражательная способность ; · пластичность; · высокая теплопроводность; · высокая электропроводность. Термический анализ основан на явлении теплового эффекта. Спектральный анализ основан на разложении и исследовании спектра электрической дуги или искры, искусственно возбуждаемой между медным электродом и исследуемым металлом.

Related queries:
-> бланк баланса организации рб
При нагреве всех кристаллических тел наблюдается четкая граница перехода из твердого состояния в жидкое.
-> запит про видачу витягу з диного державного ре стру бланк
бесплатно презентацию кристаллические реш тки

Видео по теме

:
аморфные тела презентация
-> panas kx ft37 инструкция
При перемещении вакансий внутри кристалла, они концентрируются, образуя полости в виде дисков.
-> ответы на зачт по физ ре
Образуется при переходе атомов с поверхности в окружающую среду или из узлов решетки на поверхность границы зерен, пустоты, трещины и т.
-> ответы на ент казахский язык 8038
Дислокации увеличивают среднюю скорость диффузии в кристалле, ускоряют старение и другие процессы, уменьшают химическую стойкость, поэтому в результате обработки поверхности кристалла специальными веществами в местах выхода дислокаций образуются ямки.
->Sitemap



Бесплатно презентацию кристаллические реш тки:

Rating: 96 / 100

Overall: 52 Rates